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En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa2Se4 en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón–fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.
Descriptores: Semiconductores; anarmonicidad; temperatura; dispersión inelástica de la radiación.
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