Question

Considere un wafer de sicilio (Si) de 2 mm de espesor que será dopado con antimonio (Sb). Asuma que la fuente de dopante es una mezcla de gas compuesta por cloruros y otros gases y provee una concentración superficial constante de 1x1022 átomos/m3. Se necesita un perfil de dopado tal que la concentración de Sb a una profundidad de 2 micrómetros sea 5x1021 átomos/m3. ¿Cuál es el tiempo de difusión para el tratamiento térmico?. Asuma que la oblea/wafer tiene una concentración igual a cero de impurezas y dopantes. La energía de activación para la difusión del Sb en Silicio es 380 kJ/mol y D0 es igual a 1,3*10-3 m2/s. Utilice una temperatura de 1227°C.

Answer 1

Respuesta:

Gracias por los puntos