Respuestas
*Generan un nivel de ruido muy alto con respecto a los FET
*Generan gran temperatura a comparación de los FET
*Son más faciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI
*Los BJT tienen una baja impedancia de entrada a comparación con los EFT que tienen una Impedencia de entrada muy elevada.
*El BJT no soporta tenciones en el sentido opuesto por que la elevada concentración de impurezas de emisor provoca la ruptura de JI en bajas tensiones.
Respuesta:son: 1.Generan un nivel de ruido muy alto con respecto a los FET
2.Generan gran temperatura a comparacion de los FET
3.son mas faciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permite integrar mas dispositivos en un CI
4.los BJT tienen una baja impedancia a comparacion con los EFT qu tienen una impendencia de entrada muy elevada
5. El BJT no soporta tenciones en el sentido opuesto por que la elevada concentracion de impuresas de emisor provocan la ruptura de JI en bajas tensiones.
Espero haberte ayudado
Explicación:si es posible me regalarias una coronita