Respuestas
Respuesta:
Datos generales
Diagramas
Caracterización
Propiedades generales
Propiedades mecánicas
Propiedades eléctricas
Propiedades térmicas
Propiedades ópticas
Propiedades tecnológicas
Propiedades químicas
Obtención
Aplicaciones
Clasificación:
Cerámico
Convencionales
Abrasivos
Carburos
Nomenclatura:
SiC
Composición química:
30% C, 70% Si
Materias primas:
Óxid de silicio y carbnó de cok (Proceso Acheson) y Policarbosilanos
El SiC tiene tres polimorfismos cúbica, hexagonal y romboédrica, amb més de 74 politipos. Es un material de elevada dureza utilizado como abrasivo para cortar, molturar o pulir. Refractario con alta resistencia a la oxidación a temperaturas elevadas debido a la formación de una capa de SiO2 que protege el material.ensidad:
3,0 - 3,2 g /cm3
Porosidad "Melt flow":
Variable
Observaciones:
Las propiedades dependen de la temperatura y del tiempo de transformaciónRigidez dieléctrica:
A la temperatura de:
Rigidez dieléctrica
Tamb
325
Resistividad específica:
A la temperatura de:
Resistividad especifica
Tamb
10-2 (Ωm) (SiC puro es un aislante eléctrico)
Observaciones:
El carburo de silicio es un semiconductorObservaciones:
Por reacciones quimicas:
I) Proceso Achenson: reducción de la sílice pura con carbón de elevada pureza, a 2400ºC durante 36 horas (SiO2 + C --> α-SiC + CO2)
II) Reacción en fase gaseosa: SiH4 + CH4 --> α-SiC + 4 H2 (a 2400ºC)
--> β-SiC + 4 H2 (a 1500ºC)
Sinteritzación a 2100ºC de povo submicrométrico en presencia de B. Bajo coste y elevada producción.
Consolidación. Infiltración a 1500ºC de una preforma de C con SiO2. El exceso de SiO2 llena los poros. Se pueden obtener formas complejas con tolerancias ajustadasDIFRACCIÓN DE RAYOS X:
DIFRACCIÓN DE RAYOS X:
Difractograma de raigs X del carbur de silici
DESCRIPCIÓN:
Hay algunos picos debidos a impurezas no identificadas.
MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:
MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:
Micrografia Nº1: Detall de partícules de SiC
MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:
Micrografia Nº2: Espectre general
DESCRIPCIÓN:
No se detectan otros picos debidos a impurezas.
MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:
Micrografia Nº3: Detall de partícules de SiC
DESCRIPCIÓN:
Se puede observar el aspecto facetado del SiC, esto no es debido a procesos de fusión, es debido a la fractura.