Nombre tres estructuras del sic como modo de presentación de datos

Respuestas

Respuesta dada por: chasqueros12345
3

Respuesta:

Datos generales

Diagramas

Caracterización

Propiedades generales

Propiedades mecánicas

Propiedades eléctricas

Propiedades térmicas

Propiedades ópticas

Propiedades tecnológicas

Propiedades químicas

Obtención

Aplicaciones

Clasificación:

Cerámico

Convencionales

Abrasivos

Carburos

Nomenclatura:

SiC

Composición química:

30% C, 70% Si

Materias primas:

Óxid de silicio y carbnó de cok (Proceso Acheson) y Policarbosilanos

El SiC tiene tres polimorfismos cúbica, hexagonal y romboédrica, amb més de 74 politipos. Es un material de elevada dureza utilizado como abrasivo para cortar, molturar o pulir. Refractario con alta resistencia a la oxidación a temperaturas elevadas debido a la formación de una capa de SiO2 que protege el material.ensidad:

3,0 - 3,2 g /cm3

Porosidad "Melt flow":

Variable

Observaciones:

Las propiedades dependen de la temperatura y del tiempo de transformaciónRigidez dieléctrica:

A la temperatura de:

Rigidez dieléctrica

Tamb

325

Resistividad específica:

A la temperatura de:

Resistividad especifica

Tamb

10-2 (Ωm) (SiC puro es un aislante eléctrico)

Observaciones:

El carburo de silicio es un semiconductorObservaciones:

Por reacciones quimicas:

I) Proceso Achenson: reducción de la sílice pura con carbón de elevada pureza, a 2400ºC durante 36 horas (SiO2 + C --> α-SiC + CO2)

II) Reacción en fase gaseosa: SiH4 + CH4 --> α-SiC + 4 H2 (a 2400ºC)

--> β-SiC + 4 H2 (a 1500ºC)

Sinteritzación a 2100ºC de povo submicrométrico en presencia de B. Bajo coste y elevada producción.

Consolidación. Infiltración a 1500ºC de una preforma de C con SiO2. El exceso de SiO2 llena los poros. Se pueden obtener formas complejas con tolerancias ajustadasDIFRACCIÓN DE RAYOS X:

DIFRACCIÓN DE RAYOS X:

Difractograma de raigs X del carbur de silici

DESCRIPCIÓN:

Hay algunos picos debidos a impurezas no identificadas.

MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:

MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:

Micrografia Nº1: Detall de partícules de SiC

MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:

Micrografia Nº2: Espectre general

DESCRIPCIÓN:

No se detectan otros picos debidos a impurezas.

MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE BARRIDO:

Micrografia Nº3: Detall de partícules de SiC

DESCRIPCIÓN:

Se puede observar el aspecto facetado del SiC, esto no es debido a procesos de fusión, es debido a la fractura.

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Melanyuhrig: Gracias muy buena la estructura de tu respuesta. Pero no era del Sic. Si no del Sic. Sistema informático contable. Pero igual me sirve esa respuesta para mi otro trabajo.
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