Question

A silicon semiconductor resistor is in the shape of a rectangular bar with a cross sectional area of 8.5 ? 10?4 cm2, a length of 0.075 cm, and is doped with a concentration of 2 ? 1016 cm?3 boron atoms. let t ? 300 k. a bias of 2 volts is applied across the length of the silicon device. calculate the current in the resistor. (b) repeat part (a) if the length is increased by a factor of three. (c) determine the average drift velocity of holes in parts (a) and (b).

Answer 1

Explicación:

Una resistencia de semiconductor de silicio tiene la forma de una barra rectangular con un área de sección transversal de 8.5? 10? 4 cm2, una longitud de 0.075 cm, y se dopa con una concentración de 2? 1016 cm? 3 átomos de boro. dejar t? 300 k. Se aplica una polarización de 2 voltios a lo largo del dispositivo de silicio. Calcule la corriente en la resistencia. (b) repita la parte (a) si la longitud se incrementa en un factor de tres. (c) determine la velocidad de deriva promedio de los agujeros en las partes (a) y (b)